
H-Bridge

HブリッジIGBTモジュールは、比較的低電圧の回路で、ソリッドステートスイッチとして機能します。XPT(エクストリーム・パンチスルー)絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ・アーキテクチャを採用したモジュールには、MOSFET、サイリスタ、ダイオードが含まれます。リテルヒューズの子会社である IXYS は、連続使用、高い信頼性、長寿命を考慮して設計された複数のバージョンの H ブリッジ IGBT を製造しています。
- Collector–emitter voltage rating of 1.2 kV
- Low typical saturation voltages of 1.7 V or 1.8 V
- Short circuit rated for 10 µs
- Square reverse bias safety operating area (RBSOA) three times the collector’s rated current
- Positive temperature coefficient of on-state voltage facilitates paralleling
- Available with SONICTM fast recovery diodes or soft recovery diodes
- Low operating forward voltages
- Low gate charge requirements
- Produce minimal electromagnetic interference