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H-Bridge

HブリッジIGBTモジュールは、比較的低電圧の回路で、ソリッドステートスイッチとして機能します。XPT(エクストリーム・パンチスルー)絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ・アーキテクチャを採用したモジュールには、MOSFET、サイリスタ、ダイオードが含まれます。リテルヒューズの子会社である IXYS は、連続使用、高い信頼性、長寿命を考慮して設計された複数のバージョンの H ブリッジ IGBT を製造しています。
  • Collector–emitter voltage rating of 1.2 kV
  • Low typical saturation voltages of 1.7 V or 1.8 V
  • Short circuit rated for 10 µs
  • Square reverse bias safety operating area (RBSOA) three times the collector’s rated current
  • Positive temperature coefficient of on-state voltage facilitates paralleling
  • Available with SONICTM fast recovery diodes or soft recovery diodes
  • Low operating forward voltages
  • Low gate charge requirements
  • Produce minimal electromagnetic interference