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高速回復

高速回復ダイオードは単独でも、またサイリスタと組み合わせてソリッドステート スイッチやスナバ デバイスとしても機能します。このダイオードは逆回復時間が短いため、高速スイッチングが容易です。また、高速回復によって絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を保護し、整流障害に対してゲート整流サイリスタ(IGCT)を統合します。 Through our IXYS subsidiary, Littelfuse offers several kinds of fast recovery diodes with a wide variety of performance characteristics.. Identify your best solution in our Power Semiconductor Product Catalog.
  • 代表的な逆方向回復時間はとても速い 0.3 μs で入手可能
  • 最大繰り返し回復電圧(Vrrm)は 200 V 〜 6 kV で入手可能
  • 低最大順方向電圧降下定格は 900 mV 〜 4.33 V で入手可能
  • 定格電流 5 A ~ 2.423 kA までの幅広い平均順方向電流(Ifav)で入手可能
  • シングル、デュアル、コモンカソード構成で入手可能
  • 低い漏えい電流
  • 端子 - ジャンクション間の熱抵抗が低い
  • 一部の HiPerDYN ダイオードを除き、優れた電圧絶縁を実現するよう設計された国際標準パッケージ

高速回復 部品

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