
高速回復

高速回復ダイオードは単独でも、またサイリスタと組み合わせてソリッドステート スイッチやスナバ デバイスとしても機能します。このダイオードは逆回復時間が短いため、高速スイッチングが容易です。また、高速回復によって絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を保護し、整流障害に対してゲート整流サイリスタ(IGCT)を統合します。 Through our IXYS subsidiary, Littelfuse offers several kinds of fast recovery diodes with a wide variety of performance characteristics.. Identify your best solution in our Power Semiconductor Product Catalog.
- 代表的な逆方向回復時間はとても速い 0.3 μs で入手可能
- 最大繰り返し回復電圧(Vrrm)は 200 V 〜 6 kV で入手可能
- 低最大順方向電圧降下定格は 900 mV 〜 4.33 V で入手可能
- 定格電流 5 A ~ 2.423 kA までの幅広い平均順方向電流(Ifav)で入手可能
- シングル、デュアル、コモンカソード構成で入手可能
- 低い漏えい電流
- 端子 - ジャンクション間の熱抵抗が低い
- 一部の HiPerDYN ダイオードを除き、優れた電圧絶縁を実現するよう設計された国際標準パッケージ
高速回復 部品
フィルター
70onClick
5750onClick
0.9onClick
2.32onClick
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336onClick
0.0869onClick
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459 合計結果の 1 から 12 までを表示
品番 | アクション | TJ Max (°C) | I2t [Diode] (A2s) | Qrr (µC) | V0 (V) | IFAV @ TC = 55 ° (A) | rS (mΩ) | RthJK 180 °C Sine Wave (K/W) | VRRM [Diode] (V) | RthJC 180° Sine Wave (K/W) | IFSM 10ms Half Sine Wave (A) |
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品番 | アクション | TJ Max (°C) | I2t [Diode] (A2s) | Qrr (µC) | V0 (V) | IFAV @ TC = 55 ° (A) | rS (mΩ) | RthJK 180 °C Sine Wave (K/W) | VRRM [Diode] (V) | RthJC 180° Sine Wave (K/W) | IFSM 10ms Half Sine Wave (A) | |
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150 | 48.1 x 10³ | 100 | 2.271 | 2.853 | 0.1 | 2500 | 3100 | |||||
150 | 48.1 x 10³ | 100 | 2.271 | 2.853 | 0.1 | 3000 | 3100 | |||||
150 | 48.1 x 10³ | 100 | 2.271 | 2.853 | 0.1 | 2500 | 3100 | |||||
150 | 48.1 x 10³ | 100 | 2.271 | 2.853 | 0.1 | 3000 | 3100 | |||||
125 | 36.5 x 10³ | 70 | 1.76 | 2.21 | 0.095 | 1400 | 2700 | |||||
125 | 36.5 x 10³ | 70 | 1.76 | 2.21 | 0.095 | 1800 | 2700 | |||||
125 | 291 x 10³ | 200 | 1.494 | 0.692 | 0.032 | 1400 | 7630 | |||||
125 | 291 x 10³ | 200 | 1.494 | 0.692 | 0.032 | 1800 | 7630 | |||||
115 | 546 x 10³ | 230 | 2.024 | 1.274 | 0.016 | 4500 | 10450 | |||||
115 | 546 x 10³ | 230 | 2.024 | 1.274 | 0.016 | 5200 | 10450 | |||||
115 | 546 x 10³ | 230 | 2.024 | 1.274 | 0.016 | 4500 | 10450 | |||||
115 | 546 x 10³ | 230 | 2.024 | 1.274 | 0.016 | 5200 | 10450 |