SiC ショットキーダイオードと SiC MOSFET のプレゼンテーション
低コストで耐久性に優れた 1.2 kV シリコンカーバイド金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造における、リテルヒューズの革新的な取り組みをご紹介します。
シリコンカーバイド (SiC) ソリッドステートスイッチは、高周波スイッチング、低ゲート抵抗、高速逆回復時間を必要とするアプリケーションで、従来のダイオードや三極管よりも優れた性能を発揮します。リテルヒューズは、スイッチング損失を大幅に低減する SiC ショットキーダイオードを製造しています。リテルヒューズの SicMOSFET は、他の金属酸化物半導体電界効果トランジスタに比べて、非常に低いオン抵抗と出力キャパシタンス定格を誇ります。「パワーセミコンダクタ製品カタログ」を参照し、お客様のアプリケーションに最適なソリューションをお探しください。