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IXFH14N85X

DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD | シリーズ: X クラス
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高速ボディダイオードを備えたウルトラジャンクション X クラス パワー MOSFET は、業界で最も低いオンステート抵抗を誇る耐久性に優れたデバイスで、高電圧電力変換アプリケーション内での超高出力密度を実現します。電荷補償の原理と独自のプロセス技術を使用して開発されたこれらのデバイスは、低いゲート電荷と優れた dv/dt 性能を発揮します。さらに、これらのウルトラジャンクション MOSFET はファストソフトリカバリ ボディダイオードを備えることにより、スイッチング損失および電磁妨害 (EMI) を低減します。

メリット:

  • より優れた効率性
  • 高出力密度
  • 容易に実装可能
  • 省スペース
特性価格
VDSS (V)
850
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω)
0.55
ID, cont @ 25 °C(A)
14
ゲート電荷 (nC)
30
RthJC (K/W)
0.27
構成
シングル
パッケージタイプ
TO-247
CISS (pF)
1043
trr、TYP (ns)
116
PD (W)
460
  • 極めて低いオン抵抗 RDS(ON) とゲート電荷量 Qg
  • ファストボディダイオード
  • 高い耐久性の dv/dt
  • アバランシェ定格
  • 小型パッケージインダクタンス
  • 国際規格パッケージ

IXFH14N85X アプリケーション

ハイライトセクション

  • 工業用スイッチング電源および共振モード電源
  • 電気自動車の充電設備
  • Ac and dc Motor Drives
  • DC-DCコンバータ
  • 再生可能エネルギーインバータ
  • 力率補正 (PFC) 回路
  • ロボットおよびサーボ制御

IXFH14N85X 関連資料

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品番部品名RoHSPb-FreeRoHS (2015/863/EU) 認証REACH (SVHC) 適合証明書REACH (SVHC)ハロゲンフリーIPC 材料宣誓書
IXFH14N85XDiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD

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