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IXFB70N100X
DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3) | シリーズ: X クラス
高速ボディダイオードを備えたウルトラジャンクション X クラス パワー MOSFET は、業界で最も低いオンステート抵抗を誇る耐久性に優れたデバイスで、高電圧電力変換アプリケーション内での超高出力密度を実現します。電荷補償の原理と独自のプロセス技術を使用して開発されたこれらのデバイスは、低いゲート電荷と優れた dv/dt 性能を発揮します。さらに、これらのウルトラジャンクション MOSFET はファストソフトリカバリ ボディダイオードを備えることにより、スイッチング損失および電磁妨害 (EMI) を低減します。
メリット：
- より優れた効率性
- 高出力密度
- 容易に実装可能
- 省スペース
| 特性 | 価格 |
|---|---|
VDSS (V) | 1000 |
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | 0.089 |
ID, cont @ 25 °C(A) | 70 |
ゲート電荷 (nC) | 350 |
RthJC (K/W) | 0.07 |
構成 | シングル |
パッケージタイプ | TO-264 PLUS |
CISS (pF) | 9160 |
PD (W) | 1785 |
- 極めて低いオン抵抗 RDS(ON) とゲート電荷量 Qg
- ファストボディダイオード
- 高い耐久性の dv/dt
- アバランシェ定格
- 小型パッケージインダクタンス
- 国際規格パッケージ
IXFB70N100X アプリケーション
- 工業用スイッチング電源および共振モード電源
- 電気自動車の充電設備
- Ac and dc Motor Drives
- DC-DCコンバータ
- 再生可能エネルギーインバータ
- 力率補正 (PFC) 回路
- ロボットおよびサーボ制御
IXFB70N100X 関連資料
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シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | Pb-Free | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH (SVHC) 適合証明書 | REACH (SVHC) | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFB70N100X | DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3) | 詳細を見る |
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