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IXFA130N10T
DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-263D2 | シリーズ: Gen1
非常に低い RDS(on) を必要とする低電圧 / 高電流アプリケーションに最適なトレンチゲートパワー MOSFET は、極めて低い消費電力を保証します。さらに、-40 °C～175 °C の幅広い動作接合部温度との組み合わせにより、自動車用およびその他の同様に要求の厳しい過酷な環境用アプリケーションに適しています。
メリット：
- 簡単な取り付け
- 省スペース
- 高出力密度
| 特性 | 価格 |
|---|---|
VDSS (V) | 100 |
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | 0.0091 |
ID, cont @ 25 °C(A) | 130 |
ゲート電荷 (nC) | 104 |
RthJC (K/W) | 0.42 |
構成 | シングル |
パッケージタイプ | TO-263 |
CISS (pF) | 5080 |
trr、TYP (ns) | 67 |
PD (W) | 360 |
- 国際規格パッケージ
- 低 RDS(ON)
- アバランシェ定格
- 高電流対応
- 高速内部整流器
IXFA130N10T アプリケーション
- スイッチモード電源、共振モード電源
- DC-DCコンバータ
- 充電器
- 無停電電源装置
- AC モーター駆動
- Dc choppers
- 高速電力スイッチングアプリケーション
IXFA130N10T 関連資料
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シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | Pb-Free | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH (SVHC) 適合証明書 | REACH (SVHC) | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFA130N10T | DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-263D2 | 詳細を見る |
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