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N チャネル トレンチゲート

トレンチゲート N チャネル MOSFET は、非常に低いオンステート抵抗と優れた温度耐性が特長です。これらの特長により、低電圧、高電流システムや過酷な環境で理想的なソリッドステートスイッチとなっています。これらの金属酸化物半導体電界効果トランジスタに適した主なアプリケーションとして、小型電気自動車、無人航空機、車載バッテリー充電器が挙げられます。リテルヒューズのトレンチゲート N チャネル MOSFET のほとんどに HiPerFETTM テクノロジーが採用されています。この追加により、列スイッチの必要性が軽減または排除され、スイッチング速度が向上します。
  • 40 VDSS〜300 VDSSのドレイン-ソース間定格で利用可能
  • 極めて低いオン抵抗定格(例:0.85 mΩ、1.3 mΩ、3.1 mΩ)
  • 32 A および 660 A の幅広い標準ドレイン電流 (ID25) で利用可能
  • -40 °Cから175までの温度で動作 ℃
  • アバランシェ定格
  • 高い電力密度
  • 低いオンステート抵抗により電力損失を最小化
  • スイッチモード電力変換アプリケーションの同期整流用に最適化
  • 国際規格パッケージ

N チャネル トレンチゲート 部品

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