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N チャネル スーパージャンクション

スーパージャンクション N チャネル MOSFET は、ドレイン-ソース間定格電圧が 600 V 〜 800 V のソリッドステートスイッチとしては最も低いオン抵抗が特長です。リテルヒューズは、これら数種類の金属酸化物半導体電界効果トランジスタを製造しています。当社のデバイスは、第 3 世代および第 4 世代の高速 CoolMOS* 技術を採用しており、電源、DC-DC コンバータ、誘導加熱器向けの信頼性の高い高速スイッチングを保証します。また、バックコンバータ、トーテムポールデバイス、または DC チョッパとして使用するために構成されたマルチチップスーパージャンクション N チャネル MOSFET も製造しています。CoolMOS* は Infineon Technologies AG の登録商標です。
  • 600 VDSS および 800 VDSS のドレイン-ソース間定格で利用可能
  • 超低オン抵抗定格(例: 7mΩ、45mΩ、125mΩ
  • 25 A ~ 47 A の典型的なドレイン電流 (ID25)
  • 250nC 以下のゲート電荷要件
  • アバランシェ定格
  • 高い電力密度
  • ショットキーダイオード、超高速逆並列ダイオード、またはファーストリカバリーダイオードで使用可能
  • 銅ボンド基板の直接絶縁により、ジャンクションからヒートシンクまでの熱抵抗を低減
  • 国際規格パッケージ

N チャネル スーパージャンクション 部品

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