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IXTA64N10L2

Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-263D2 | シリーズ: L2
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パワー MOSFET を必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイアス安全動作領域(FBSOA)を特長としています。

パワー MOSFET を従来のスイッチモード動作ではなく線形モード動作で使用する場合、高いドレイン電圧とドレイン電流が同時に発生することによる非常に高い熱応力と電気的ストレスへの耐久性が求められます。このように応力やストレスが非常に高い状況では、一般的な機器は故障する恐れがあります。 Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs have been designed to address these kinds of device failures - the FBSOAs are "extended" when the positive feedback of electro-thermal instability is suppressed, giving rise to larger "operating windows." FBSOA は 75°C で保証されています。

特性価格
VDSS (V)
100
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω)
0.032
ID, cont @ 25 °C(A)
64
ゲート電荷 (nC)
100
RthJC (K/W)
0.35
構成
シングル
パッケージタイプ
TO-263
CISS (pF)
3620
trr、TYP (ns)
180
PD (W)
357
  • 線形動作用の設計
  • 75°C で FBSOA を保証
  • 低いオン抵抗 RDS(on)
  • アバランシェ定格
  • 国際規格パッケージ
  • UL 94 V-0 可燃性規格適合(成形エポキシ)

IXTA64N10L2 アプリケーション

ハイライトセクション

  • E ヒューズおよびホットスワップ回路
  • バッテリー管理
  • 電流レギュレータ
  • 線形増幅器
  • ファンコントローラ
  • プログラム可能な負荷
  • ソフトスタート制御

IXTA64N10L2 関連資料

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品番部品名RoHSPb-FreeRoHS (2015/863/EU) 認証REACH (SVHC) 適合証明書REACH (SVHC)ハロゲンフリーIPC 材料宣誓書
IXTA64N10L2Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-263D2

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