background-waves

IXTA1R6N100D2

製品ステータス| i

IXTA1R6N100D2

DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-263D2 | シリーズ: D2
info

これらの空乏型デバイスは、強化型 MOSFET とは対照的に「通常時オン」モードで動作し、ゲート端子でのターンオン電圧が必要ありません。最大 1700V のブロッキング電圧と低いドレインソース間抵抗により、常時「オン」のシステム(非常警報器や盗難警報装置など)においてシンプルな制御と低い消費電力を可能にします。

特性価格
VDSS (V)
1000
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω)
10
ID, cont @ 25 °C(A)
1.6
ゲート電荷 (nC)
27
RthJC (K/W)
1.25
構成
シングル
パッケージタイプ
TO-263
CISS (pF)
645
PD (W)
100
VGS、オフ-最大(V)
-4.5
CRSS (pF)
11
  • 常時動作
  • リニアモード耐性
  • 低 RDS(on)
  • ボディダイオード使用可能
  • 内部標準パッケージ
  • UL 94 V-0 可燃性規格適合(成形エポキシ)

IXTA1R6N100D2 アプリケーション

ハイライトセクション

  • オーディオアンプ
  • スタートアップ回路
  • 保護回路
  • 傾斜波発生器
  • 電流レギュレータ
  • 能動負荷

IXTA1R6N100D2 関連資料

表示 1 最長 1 の 1 合計結果
Share
品番部品名RoHSPb-FreeRoHS (2015/863/EU) 認証REACH (SVHC) 適合証明書REACH (SVHC)ハロゲンフリーIPC 材料宣誓書
IXTA1R6N100D2DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-263D2

お探しの製品環境情報がこのタブに表示されない場合は、 製品環境情報リクエストフォームに必要事項をご記入ください。