リンクがクリップボードにコピーされました
IXTA08N100D2HV
DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-263D2 | シリーズ: D2
これらの空乏型デバイスは、強化型 MOSFET とは対照的に「通常時オン」モードで動作し、ゲート端子でのターンオン電圧が必要ありません。最大 1700V のブロッキング電圧と低いドレインソース間抵抗により、常時「オン」のシステム（非常警報器や盗難警報装置など）においてシンプルな制御と低い消費電力を可能にします。
| 特性 | 価格 |
|---|---|
VDSS (V) | 1000 |
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | 21 |
ID, cont @ 25 °C(A) | 0.8 |
ゲート電荷 (nC) | 14.6 |
RthJC (K/W) | 2.08 |
構成 | シングル |
パッケージタイプ | TO-263HV |
CISS (pF) | 325 |
PD (W) | 60 |
VGS、オフ-最大(V) | -4 |
CRSS (pF) | 6.5 |
- 常時動作
- リニアモード耐性
- 低 RDS(on)
- ボディダイオード使用可能
- 内部標準パッケージ
- UL 94 V-0 可燃性規格適合（成形エポキシ）
IXTA08N100D2HV アプリケーション
- オーディオアンプ
- スタートアップ回路
- 保護回路
- 傾斜波発生器
- 電流レギュレータ
- 能動負荷
IXTA08N100D2HV 関連資料
リンクがクリップボードにコピーされました表示 1 最長 1 の 1 合計結果
シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | Pb-Free | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH (SVHC) 適合証明書 | REACH (SVHC) | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA08N100D2HV | DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-263D2 | 詳細を見る |
お探しの製品環境情報がこのタブに表示されない場合は、 製品環境情報リクエストフォームに必要事項をご記入ください。