

これらの空乏型デバイスは、強化型 MOSFET とは対照的に「通常時オン」モードで動作し、ゲート端子でのターンオン電圧が必要ありません。最大 1700V のブロッキング電圧と低いドレインソース間抵抗により、常時「オン」のシステム(非常警報器や盗難警報装置など)においてシンプルな制御と低い消費電力を可能にします。
- 「通常オン」動作
- リニアモード耐性
- 低 RDS(on)
- ボディダイオード使用可能
- 内部標準パッケージ
- UL 94 V-0 燃焼性規格適合
- (成形エポキシ)
D2 部品
フィルター
34 合計結果の 1 から 12 までを表示
品番 | アクション | VDSS (V) | RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | ID, cont @ 25 °C (A) | Gate Charge (nC) | RthJC (K/W) | Configuration | Package Type | CISS (pF) | PD (W) | VGS,off-max (V) | CRSS (pF) |
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品番 | アクション | VDSS (V) | RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | ID, cont @ 25 °C (A) | Gate Charge (nC) | RthJC (K/W) | Configuration | Package Type | CISS (pF) | PD (W) | VGS,off-max (V) | CRSS (pF) | |
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1000 | 21 | 0.8 | 14.6 | 2.08 | Single | TO-263 | 325 | 60 | -4 | 6.5 | |||
1000 | 21 | 0.8 | 14.6 | 2.08 | Single | TO-263HV | 325 | 60 | -4 | 6.5 | |||
500 | 4.6 | 0.8 | 12.7 | 2.08 | Single | TO-263 | 312 | 60 | -4.5 | 11 | |||
1000 | 10 | 1.6 | 27 | 1.25 | Single | TO-263 | 645 | 100 | -4.5 | 11 | |||
1000 | 10 | 1.6 | 27 | 1.25 | Single | TO-263HV | 645 | 100 | -4.5 | 11 | |||
500 | 2.3 | 1.6 | 23.7 | 1.25 | Single | TO-263 | 645 | 100 | -4.5 | 16.5 | |||
1000 | 6 | 3 | 37.5 | 1 | Single | TO-263 | 1020 | 125 | -4.5 | 17 | |||
1000 | 6 | 3 | 37.5 | 1 | Single | TO-263HV | 1020 | 125 | -4.5 | 17 | |||
500 | 1.5 | 3 | 40 | 1 | Single | TO-263 | 1070 | 125 | -4.5 | 24 | |||
1000 | 2.2 | 6 | 95 | 0.41 | Single | TO-263 | 2650 | 300 | -4.5 | 41 | |||
1000 | 2.2 | 6 | 95 | 0.41 | Single | TO-263HV | 2650 | 300 | -4.5 | 41 | |||
500 | 0.5 | 6 | 96 | 0.41 | Single | TO-263 | 2800 | 300 | -4 | 64 |
D2 アプリケーション
- オーディオアンプ
- スタートアップ回路
- 保護回路
- 傾斜波発生器
- 電流レギュレータ
- 能動負荷