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IXTH1N170DHV

製品ステータス| i

IXTH1N170DHV

Disc Mosfet N-CH Depl Mode-Std TO-247AD | シリーズ: D
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デプリーションモード MOSFET は、通常のエンハンスメント型 MOSFET とは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲートバイアス電圧が保たれますが、それ以外は類似の MOSFET と同じような特性を備えています。レベルシフト、ソリッドステートリレー、電流レギュレータ、能動負荷に適しています。

特性価格
VDSS (V)
1700
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω)
16
ID, cont @ 25 °C(A)
1
ゲート電荷 (nC)
47
RthJC (K/W)
0.43
構成
シングル
パッケージタイプ
TO-247HV
CISS (pF)
3090
PD (W)
290
VGS、オフ-最大(V)
-4.5
CRSS (pF)
30
  • 常時動作
  • リニアモード耐性
  • 内部標準パッケージ
  • UL 94 V-0 可燃性規格適合(成形エポキシ)

IXTH1N170DHV アプリケーション

ハイライトセクション

  • オーディオアンプ
  • スタートアップ回路
  • 保護回路
  • 傾斜波発生器
  • 電流レギュレータ
  • 能動負荷

IXTH1N170DHV 関連資料

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品番部品名RoHSPb-FreeRoHS (2015/863/EU) 認証REACH (SVHC) 適合証明書REACH (SVHC)ハロゲンフリーIPC 材料宣誓書
IXTH1N170DHVDisc Mosfet N-CH Depl Mode-Std TO-247AD

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