CPC3714

当社の N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ（FET）は、独自の第 3 世代縦型 DMOS プロセスを採用しています。第 3 世代縦型 DMOS プロセスは、世界最高水準の高電圧 MOSFET 性能を安価なシリコンゲートプロセスで実現しています。縦型 DMOS プロセスは、高入力インピーダンスの高電力用アプリケーションに適した堅牢なデバイスを可能にします。信頼性の高いこれらのFET デバイスは、工業用および通信用アプリケーション用の当社のソリッドステートリレーに広く使用されています。