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シリーズ: N チャネルデプレッションモード MOSFET

N-channel depletion mode field effect transistors (FET)
製品ステータス| i
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デプレッションモード MOSFET デバイス

当社の N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ(FET)は、独自の第 3 世代縦型 DMOS プロセスを採用し、世界最高水準の高電圧 MOSFET 性能を安価なシリコンゲートプロセスで実現しています。縦型 DMOS プロセスは、高入力インピーダンスの高電力用アプリケーションに適した堅牢なデバイスを可能にします。これらの高信頼性 FET デバイスは、工業用および通信用アプリケーション用の当社のソリッドステートリレーに広く使用されています。


  • 非通電時、常時閉
  • Low VGS(off) voltage
  • 高入力インピーダンス
  • 非通電時、常時閉
  • 低 V GS(off) 電圧
  • 高入力インピーダンス

N チャネルデプレッションモード MOSFET 部品

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