


デプレッションモード MOSFET デバイス
当社の N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ(FET)は、独自の第 3 世代縦型 DMOS プロセスを採用し、世界最高水準の高電圧 MOSFET 性能を安価なシリコンゲートプロセスで実現しています。縦型 DMOS プロセスは、高入力インピーダンスの高電力用アプリケーションに適した堅牢なデバイスを可能にします。これらの高信頼性 FET デバイスは、工業用および通信用アプリケーション用の当社のソリッドステートリレーに広く使用されています。
- 非通電時、常時閉
- Low VGS(off) voltage
- 高入力インピーダンス
- 非通電時、常時閉
- 低 V GS(off) 電圧
- 高入力インピーダンス
N チャネルデプレッションモード MOSFET 部品
フィルター
60onClick
800onClick
20onClick
600onClick
13 合計結果の 1 から 12 までを表示
品番 | アクション | BVDSX (V) | RDS(on) (Ω) | VGS(off)_min (V) | VGS(off)_max (V) | IDSS_min (mA) | IC Package Type |
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品番 | アクション | BVDSX (V) | RDS(on) (Ω) | VGS(off)_min (V) | VGS(off)_max (V) | IDSS_min (mA) | IC Package Type | |
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60 | 1 | -1.4 | -3.1 | 600 | SOT-89 | |||
250 | 4 | -1.6 | -3.9 | 360 | SOT-89 | |||
350 | 14 | -2 | -3.6 | 130 | SOT-89, SOT-223 | |||
250 | 10 | -1.6 | -3.9 | 220 | SOT-89 | |||
350 | 14 | -1.6 | -3.9 | 240 | SOT-89 | |||
350 | 22 | -1.6 | -3.9 | 130 | SOT-89 | |||
350 | 35 | -1.6 | -3.9 | 140 | SOT-89 | |||
250 | 2.5 | -1.4 | -3.1 | 400 | SOT-223 | |||
400 | 6 | -1.4 | -3.1 | 300 | SOT-89, SOT-223 | |||
600 | 44 | -1.4 | -3.1 | 100 | SOT-223 | |||
800 | 45 | -1.4 | -3.1 | 100 | SOT-223 | |||
800 | 45 | -1.4 | -3.1 | 100 | SOT-223-2L |