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低電力デプレッションモード

N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ (FET) は、車載用、工業、電気通信システム向けの信頼性の高いソリッドステートリレーゲートソリューションを提供します。高電圧 N チャネル MOSFET は、縦型二重拡散金属酸化膜半導体 (DMOS) アーキテクチャを採用しており、省スペースを実現しています。これにより、性能を犠牲にすることなく PCB スペースを節約できます。デバイスの代表的なアプリケーションには、点火モジュール、電力変換装置、電源、LED ドライバ集積回路などがあります。
  • 非通電時は常時閉
  • 350V のドレイン・ソース間電圧
  • 低カットオフ電圧(VGS(off)
  • 高入力インピーダンス
  • 低入力と出力リーク
  • 高電圧アプリケーションに特化した設計
  • 寒冷環境下で優れた性能を発揮するため、車載用点火モジュールに最適
  • 小型サイズで PCB スペースとコストを節約
  • 熱暴走や熱誘起二次破壊を防止する FET 構造

低電力デプレッションモード 部品

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