MOSFET (Si/SiC)

シリコンおよびシリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、さまざまな電流変換、電流スイッチング、および力率補正（PFC）動作を実行できます。この多様性により、パワーセミコンダクタは何千ものアプリケーションで真っ先に選ばれています。リテルヒューズとその子会社 IXYS は、整流器、インバータ、PFC 回路に必要なディスクリート MOSFET または MOSFET モジュールをお客様に確実にお届けします。当社は、さまざまな構成の既製 MOSFET を数種類提供しているほか、お客様と協力してカスタマイズされたソリューションを設計および製造しています。

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車載用認定

EV乗用車からバッテリー駆動のフォークリフトまで、電気自動車には、強い振動や過酷な動作条件に耐える効率的なソリッドステートスイッチが必要です。 リテルヒューズは、車載用向けの MOSFET を製造することでこの需要に応えています。 これらの AEC-Q

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低電力デプレッションモード

N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ (FET) は、車載用、工業、電気通信システム向けの信頼性の高いソリッドステートリレーゲートソリューションを提供します。 高電圧 N チャネル MOSFET は、縦型二重拡散金属酸化膜半導体 (DMOS)

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N チャネル デプレッションモード

N チャネルデプレッション MOSFET は、非常警報器や盗難警報器などの常時オン回路向けに、信頼性の高いスイッチングおよび電流調整ソリューションを提供します。 これらの金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、通常はソリッドステートスイッチ上で動作します。 他の MOSFET

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N チャネル HiPerFET

N チャネル HiPerFET(TM) は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) アーキテクチャに高速整流器を組み込んで、短い逆回復時間 (trr > 250 ns) を実現します。 リテルヒューズの HiPerFET は、ターンオフ時の過電圧保護機能も備えています。

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N チャネルリニア

N チャネルリニア MOSFET は、スイッチモード動作用に設計された金属酸化物半導体電界効果トランジスタよりも大幅に高い熱応力と電気的ストレスに耐えることができます。 デバイスがオンになると、回路に安定した電流が流れます。 リニア動作では、通常の MOSFET

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N チャネル スタンダード

標準 N チャネル MOSFET は、高電圧システムにおいて高効率のソリッドステートスイッチとして機能します。 ハードスイッチングに特化して設計されたこれらの金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、共振モードのアプリケーションでも適切に機能します。 N チャネル MOSFET

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N チャネル スーパージャンクション

スーパージャンクション N チャネル MOSFET は、ドレイン-ソース間定格電圧が 600 V 〜 800 V のソリッドステートスイッチとしては最も低いオン抵抗が特長です。リテルヒューズは、これら数種類の金属酸化物半導体電界効果トランジスタを製造しています。 当社のデバイスは、第 3

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N チャネル トレンチゲート

トレンチゲート N チャネル MOSFET

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N チャネル ウルトラジャンクション

ウルトラジャンクション N チャネル MOSFET

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P-Channel

P チャネル MOSFET は、降圧電圧や負荷の接地に最適なソリッドステートスイッチです。回路設計者の言葉を借りれば、これらの金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、優れた降圧コンバータやハイサイドスイッチになります。また、P チャネル MOSFET を N チャネル MOSFET

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シリコンカーバイド

シリコンカーバイド (SiC) ソリッドステートスイッチは、高周波スイッチング、低ゲート抵抗、高速逆回復時間を必要とするアプリケーションで、従来のダイオードや三極管よりも優れた性能を発揮します。リテルヒューズは、スイッチング損失を大幅に低減する SiC

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SMPD Packages-MOSFETs

プリント回路基板上のスペースを節約する超小型軽量の DC-DC コンバータおよびインバータを必要とするアプリケーションでは、リテルヒューズの SMPD MOSFET

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切替可能な電流レギュレータ

切替可能な電流レギュレータは、起動回路への電圧の流れを制御します。特殊な 3 ピン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) は、スイッチモード電源に依存する通信およびネットワーク機器のサージ保護デバイスやリセッタブルヒューズもサポートします。MOSFET

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