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IXA20I1200PZ

製品ステータス| i

IXA20I1200PZ

| シリーズ: プレーナ
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最先端の GenX3™ IGBT プロセスと極めて軽量なパンチスルー(XPT™)設計プラットフォームを使用して製造された本製品は、高電流処理、高速スイッチングの機能に加え、低い総エネルギー損失、短い電流下降時間を特長とします。コレクタ - エミッタ間電圧温度係数は正の値であるため、設計者は複数のデバイスを並列に使用して高電流の要件を満たすことができます。

低いゲート電荷も、ゲート駆動の要件とスイッチング損失の低減に役立ちます。正方形の逆バイアス安全動作領域(RBSOA)はブレークダウン電圧を最大とし、スナバレスのハードスイッチングアプリケーションに必要な耐久性を備えています。

メリット:

  • ハードスイッチング方式
  • 高出力密度
  • 低いゲート駆動要件
特性価格
VCES (V)
1200
IC @ 25 °C (A)
38
VCE(sat) (V)
2.1
構成
シングル
パッケージタイプ
TO-263HV
状態
新規設計用ではありません
tf (ns)
350
RthJC [IGBT] (K/W)
0.76
IC @ 90 °C (A)
22
Eオフ @ 125 °C (mJ)
1.7
IC @ 80°C (A)
22
  • 中~高程度のスイッチング周波数に最適
  • 正方形の RBSOA
  • 高い短絡能力
  • 超高速アンチパラレルダイオード
  • 国際規格対応パッケージ

IXA20I1200PZ アプリケーション

ハイライトセクション

  • 充電器
  • イーバイク
  • 照明用バラスト
  • 電力インバータ
  • 力率補正 (PFC) 回路
  • スイッチングモード電源
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • 溶接機械

IXA20I1200PZ 関連資料

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品番部品名RoHSPb-FreeRoHS (2015/863/EU) 認証REACH (SVHC) 適合証明書REACH (SVHC)ハロゲンフリーIPC 材料宣誓書
IXA20I1200PZ

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