
NPT

ノンパンチスルー (NPT) IGBT は、高電圧を処理する回路のソリッドステートスイッチとして機能します。これらの絶縁ゲートバイポーラトランジスタの代表的なアプリケーションには、AC および DC モータードライブ、電源、レーザーや X 線検査機用のパルス発生器などがあります。リテルヒューズは、標準(600-1200 V)、高電圧(1600-1700)、および超高電圧(2500-4000 V)の NPT IGBT を製造しています。それぞれ 10 μs の短絡耐性を備えており、当社の超高電圧 NPT デバイスは、複数のスイッチ、整流器、および放電リレーを低電圧定格に置き換えることができます。
- 標準的な飽和電圧:2.4-4.0 V
- 5.5Aから150Aまでの幅広い標準電流定格で利用可能
- 正方形の逆バイアス安全動作領域(RBSOA)
- V-0のUL94難燃性定格を備えてたエポキシ樹脂モールド
- 電圧制御型金属酸化物半導体ゲート
- NPT IGBT は温度係数が正の値であるため、並列接続に最適
- 正方形の RBSOA によって誘導負荷クランピングが改善され、NPT IGBT がスナバダイオードのサポートなしでハードスイッチングを処理可能
- 複数のパッケージ(TO-268、TO-247、TO-263、および独自の ISOPLUS i4-PakTM)で提供
- 高い電力密度
NPT 部品
フィルター
12 合計結果の 1 から 12 までを表示
品番 | アクション | VCES (V) | IC @ 25 °C (A) | VCE(sat) (V) | Configuration | RthJC [IGBT] (K/W) | tf (ns) | tfi (ns) | IC @ 90 °C (A) | IC @ 110 °C (A) | Eoff @ 125 °C (mJ) | RthJC [Diode] (K/W) | Forward Current @ 90 °C (A) | Agency Approvals |
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品番 | アクション | VCES (V) | IC @ 25 °C (A) | VCE(sat) (V) | Configuration | RthJC [IGBT] (K/W) | tf (ns) | tfi (ns) | IC @ 90 °C (A) | IC @ 110 °C (A) | Eoff @ 125 °C (mJ) | RthJC [Diode] (K/W) | Forward Current @ 90 °C (A) | Agency Approvals | |
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