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LGB8245TI
D2PAK, IGBT4 | シリーズ: LGB8245TI
この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ（IGBT）は、ESD および過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケーションに利用されます。主に点火や直接燃料噴射、または高電圧や高電流でのスイッチングが必要な箇所で使用されます。
最終製品：
- 自動車
| 特性 | 価格 |
|---|---|
TYP BVCES@IC (V) | 450 |
IC 最大(A) | 20 |
VCE(sat) (V) | 1.1 |
EAS (mJ) | 158 |
PDMAX (W) | 150 |
- コイルオンプラグおよびドライバオンプラグのアプリケーションに最適
- ゲートエミッタ ESD 保護
- 温度補償ゲートコレクタ電圧クランプが負荷応力を制限
- 統合 ESD ダイオード保護
- 論理デバイスまたはマイクロプロセッサデバイスの電源負荷に対する低い閾値電圧
- 低飽和電圧
- 高いパルス電流対応能力
- ゲート抵抗（RG）およびゲート - エミッタ抵抗（RGE）をオプションで選択可能
LGB8245TI アプリケーション
- 点火システム
- 直接燃料噴射
LGB8245TI 関連資料
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シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | Pb-Free | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH (SVHC) 適合証明書 | REACH (SVHC) | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGB8245TI | D2PAK, IGBT4 |  4/6/2021 |  4/6/2021 |  CoC_RoHS9_LGB8245TI | REACH_SVHC Declaration (Contain)_LGB8245TI.pdf | 内容 | あり | 詳細を見る |
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