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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ（IGBT）は、ESD および過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケーションに利用されます。主に点火や直接燃料噴射、または高電圧や高電流でのスイッチングが必要な箇所で使用されます。
最終製品：
- 自動車
- コイルオンプラグおよびドライバオンプラグのアプリケーションに最適
- ゲートエミッタ ESD 保護
- 温度補償ゲートコレクタ電圧クランプが負荷応力を制限
- 統合 ESD ダイオード保護
- 論理デバイスまたはマイクロプロセッサデバイスの電源負荷に対する低い閾値電圧
- 低飽和電圧
- 高いパルス電流対応能力
- Optional Gate Resistor (RG and Gate-Emitter Resistor (RGE)
LGB8245TI 部品
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フィルター
LGB8245TI アプリケーション
- 点火システム
- 直接燃料噴射
