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NGD15N41ACLT4G
IGNITION IGBT 15 A, 410 V | シリーズ: LGB15N41ATI
この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ（IGBT）は、ESD および過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケーションに利用されます。主に点火や直接燃料噴射、または高電圧や高電流でのスイッチングが必要な箇所で使用されます。
最終製品：
- 自動車
| 特性 | 価格 |
|---|---|
TYP BVCES@IC (V) | 410 |
IC 最大(A) | 15 |
VCE(sat) (V) | 1.9 |
EAS (mJ) | 250 |
PDMAX (W) | 107 |
- より小さいフットプリントと基板の省スペース化を可能にする DPAK パッケージ
- ゲートエミッタ ESD 保護
- 温度補償ゲートコレクタ電圧クランプが負荷応力を制限
- 統合 ESD ダイオード保護
- 非クランプ誘導性スイッチング（UIS）の面積当たりエネルギーを強化する新しいセル設計
- 短絡に対する高い耐性
- 論理デバイスまたはマイクロプロセッサデバイスの電源負荷に対する低い閾値電圧
- 低飽和電圧
- 高いパルス電流対応能力
- ゲート抵抗（RG）およびゲート - エミッタ抵抗（RGE）をオプションで選択可能
NGD15N41ACLT4G アプリケーション
- 点火システム
- コイルオンプラグ
NGD15N41ACLT4G 関連資料
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シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | Pb-Free | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH (SVHC) 適合証明書 | REACH (SVHC) | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGD15N41ACLT4G | IGNITION IGBT 15 A, 410 V |  9/12/2017 |  9/12/2017 | あり | 詳細を見る |
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