background-waves

BiMOSFET

BiMOSFET は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を RC IGBT に似たコンパクトなソリッドステートスイッチに統合したもので、モノリシックに統合されたダイオードを特徴とします。BiMOSFET ファミリーは、幅広いブロック電圧(1700 V 〜 3600 V)を提供し、110 °C で最大 75 A のコレクター電流を処理でき、絶縁型および非絶縁型を問わず、さまざまな高電圧(HV)パッケージで入手できます。さらに、このシリーズには SMPD パッケージのマルチチップ H ブリッジオプションが含まれています。
  • 最大3600Vの高いブロック電圧
  • 低 VCE(sat)
  • 低ゲート電荷 QG
  • 高いパルスコレクタ電流
  • モノリシック集積ダイオード
  • 正温度係数
  • 高い電力密度
  • 低伝導損失
  • 低いゲートドライバ要件
  • 逆導通
  • 並列化の容易さ

BiMOSFET 部品

Filtersフィルター

5onClick
200onClick

2.5onClick
7onClick

2onClick
75onClick

10onClick
75onClick

40onClick
3660onClick

0.12onClick
3.9onClick

BiMOSFET アプリケーション

ハイライトセクション

  • コンデンサ放電回路
  • 誘導加熱
  • レーダーパルス変調器
  • 共振モード電源
  • レーザーおよび X 線発生装置
  • 高電圧パルス電力回路
  • 高電圧テスト装置