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光絶縁ゲートドライバ

光絶縁ゲートドライバ IC は、低周波スイッチングタスクを実行する MOSFET の性能を最適化します。リテルヒューズが特許を取得しているように、これらの集積回路は LED 入力、フォトダイオード、オプトカプラ、コンデンサ、および金属酸化物半導体電界効果トランジスタの動作を組み合わせ、調整します。この設計により、複数のディスクリートトライアック、機械式リレー、スイッチングダイオードが不要になります。その結果、産業用制御モジュールや通信機器のソリッドステートスイッチの回路設計が簡素化され、コンポーネントコストが削減されます。
  • Isolated photovoltaic outputs of 5.5 V, 12 V, or 14.4 V
  • LED input current requirements for MOSFETs of 2.5 mA or 5 mA
  • Minimum short circuit currents of 1 mA or 2.5 mA
  • On and off switching speeds lower than 80 ms and 60 ms, respectively
  • ハウジングは V-0 の UL 94 難燃性規格に準拠
  • Isolation voltage ratings of 3.75 kV
  • 鉛不使用基準認定およびRoHS適合
  • No low frequency switching limit
  • No auxiliary power supply required
  • Floating outputs facilitate use in parallel or in series
  • ガルバニック入出力絶縁
  • リフローはんだ付けプロセスに対応

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